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  • IRF630
  • Unternehmen :
    Renesas
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
  • IRF633
  • Unternehmen :
    Harris Corporation
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    124
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 124
  • IRF632
  • Unternehmen :
    Harris Corporation
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    25592
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 25592
  • IRF630
  • Unternehmen :
    Vishay
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    55250
  • Bemerkung:
  • 55250
  • IRF633
  • Unternehmen :
    Intersil
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • IRF630
  • Unternehmen :
    STMicroelectronics
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    6880
  • Bemerkung:
    In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
  • 6880
  • IRF636
  • Unternehmen :
    Intersil Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Description: 8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
  • IRF634
  • Unternehmen :
    STMicroelectronics
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    2966
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
  • 2966
  • IRF631
  • Unternehmen :
    Harris Corporation
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    4217
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 4217
  • IRF630
  • Unternehmen :
    Samsung
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Transistor NPN Field Effect IRF630 SAMSUNG Ampere=9 V=200 TO220
  • IRF630
  • Unternehmen :
    HARRIS
  • Verpackung:
    TO-220-3
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    2265
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
  • 2265
  • IRF630
  • Unternehmen :
    MOTOROLA
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    2
  • Bemerkung:
    French Electronic Distributor since 1988
  • 2
  • IRF630
  • Unternehmen :
    COMSET
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Transistor NPN Field Effect IRF630 COMSET RoHS Ampere: 9 V: 200 TO220
  • IRF636
  • Unternehmen :
    Harris Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 275V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
  • IRF636
  • Unternehmen :
    Rochester Electronics LLC
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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