IRF636 - Harris Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-IRF636
Hersteller Teil #: IRF636
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Harris Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 275V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
HARRIS SEMICONDUCTOR
Package Description  
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)  
8.1 A
Number of Elements  
1
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)  
76 ns
Turn-on Time-Max (ton)  
49 ns
JESD-609 Code  
e0
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
TIN LEAD
HTS Code  
8541.29.00.95
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
0.45 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
32 A
DS Breakdown Voltage-Min  
275 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
180 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
75 W
Power Dissipation Ambient-Max  
75 W
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 275V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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