IRF636 - Rochester Electronics LLC

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRF636
Hersteller Teil #: IRF636
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Rochester Electronics LLC
Beschreibung: 8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Rohs Code  
No
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Drain Current-Max (ID)  
8.1 A
Number of Elements  
1
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
FLANGE MOUNT
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
No
Terminal Finish  
TIN LEAD
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
unknown
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
COMMERCIAL
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Case Connection  
DRAIN
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max  
0.45 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
32 A
DS Breakdown Voltage-Min  
275 V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
180 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: 8.1A, 275V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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