International Rectifier
International Rectifier (IR) was formed in 1947 and has its headquarters in El Segun, Calif., a US power management technology firm. Produces analog and mixed signal ICs and high-performance integrated components for computers, sophisticated circuit equipment and integrated power systems. The firm joined Infineon Technologies on 13 January 2015. In numerous applications, IR goods continue to be utilized, including lights, cars, satellites, airplanes and military systems, as well as important elements in electronic energy systems, including microelectronics, computers, servers, networks and telecommunications.
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International Rectifier Innovationen Heiße Teilenummer
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International Rectifier Innovationen Heiße Teilenummern
- AUIRF1404ZSTRLCT
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- Bemerkung:AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
- AUIRFS8405TRR
- Unternehmen :
- Paket:N/A
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- IRF7413TR
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
- 31DQ06
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- Bemerkung:Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC, C-16, 2 PIN
- 80SQ035
- Unternehmen :
- Paket:N/A
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- Bemerkung:Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon, DO-204AR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2
- IRF7404TR
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8
- IRF7343TR
- Unternehmen :
- Paket:N/A
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
- IRFF223
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- Bemerkung:3.0A, 150V, 1.2 OHM, N-CHANNEL P
- IRF7303TR
- Unternehmen :
- Paket:N/A
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
- IRLMS6802TR
- Unternehmen :
- Paket:SOT-23-6
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6
- AUIRFS8408TRR
- Unternehmen :
- Paket:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- 10BQ015TRPBF
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- Bemerkung:Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 15V V(RRM), Silicon, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, SIMILAR TO DO-214AA, 2 PIN
- IRF341
- Unternehmen :
- Paket:N/A
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- Bemerkung:IRF341 - 10A, 350V, N-CHANNEL, P
- IRF3205STRL
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
- IRF7101TR
- Unternehmen :
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- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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