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  • FDB6676
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    40000
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • 40000
  • FDB6644
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • FDB6690S
  • Unternehmen :
    ON Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    1124
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
  • 1124
  • FDB6644S
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    1460
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • 1460
  • FDB6676S
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    564
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • 564
  • FDB6670S
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    63259
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • 63259
  • FDB6690S
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    18500
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
  • 18500
  • FDB6690S
  • Unternehmen :
    Rochester Electronics, LLC
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • FDB6670AS
  • Unternehmen :
    Rochester Electronics, LLC
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • FDB6670AS
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    21000
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
  • 21000
  • FDB6670AL.
  • Unternehmen :
    Fairchild
  • Verpackung:
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    50000
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
  • 50000
  • FDB6670AL
  • Unternehmen :
    ON Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    92597
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  • 92597
  • FDB6670AS
  • Unternehmen :
    ON Semiconductor
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    6545
  • Bemerkung:
    MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
  • 6545
  • FDB6670AL
  • Unternehmen :
    Rochester Electronics, LLC
  • Verpackung:
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET

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