FDB6670AS - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB6670AS
Hersteller Teil #: FDB6670AS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type  
Surface Mount
Supplier Device Package  
TO-263AB
Power Dissipation (Max)  
62.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
62A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2005
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
8.5mOhm @ 31A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1570pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
39nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Vgs (Max)  
±20V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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Stückpreis: 1.77645
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