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FDB6644 - Fairchild Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB6644

Hersteller Teil #: FDB6644

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDB6644 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Surface Mount

YES

Number of Pins

Number of Terminals

Transistor Element Material

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

54 ns

Package Description

D2PAK-3

Package Style

SMALL OUTLINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

Manufacturer Part Number

FDB6644

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.9

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

50 A

JESD-609 Code

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

Max Operating Temperature

175 °C

Min Operating Temperature

-65 °C

Subcategory

FET General Purpose Power

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

83 W

Case Connection

DRAIN

Transistor Application

SWITCHING

Rise Time

8 ns

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Continuous Drain Current (ID)

50 A

JEDEC-95 Code

TO-263AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

50 A

Drain-source On Resistance-Max

0.0105 Ω

Drain to Source Breakdown Voltage

30 V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

150 A

DS Breakdown Voltage-Min

30 V

Avalanche Energy Rating (Eas)

240 mJ

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Power Dissipation-Max (Abs)

83 W

Drain to Source Resistance

8.5 mΩ

REACH SVHC

compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

FDB6644 Preis
FDB6644 Verteilers
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FDB6644 Technische Daten
FDB6644 PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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