STP12NM50 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP12NM50
Hersteller Teil #: STP12NM50
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Number of Pins  
3
Weight  
4.535924g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
160W Tc
Operating Temperature  
-65°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
350mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Additional Feature  
AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC  
500V
Current Rating  
12A
Base Part Number  
STP12
Pin Count  
3
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
160W
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
350m Ω @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
39nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Vgs (Max)  
±30V
Continuous Drain Current (ID)  
12A
Threshold Voltage  
4V
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
48A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
400 mJ
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Height  
19.68mm
Length  
10.4mm
Width  
4.6mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 38658 Kann sofort geliefert werden
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