STB12NM50T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB12NM50T4
Hersteller Teil #: STB12NM50T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
26 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
160W Tc
Operating Temperature  
-65°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
350mOhm
Additional Feature  
AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC  
550V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Current Rating  
12A
Base Part Number  
STB12N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
160W
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
350m Ω @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
39nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Vgs (Max)  
±30V
Continuous Drain Current (ID)  
12A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
48A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
400 mJ
Nominal Vgs  
4 V
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB12NM50T4 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB12NM50T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STB11NM60T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB14NK50ZT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
STB14NK60ZT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Verwandte Teile in STB12NM50T4
STB12NM50T4 Verwandtes Stichwort.
  • STB12NM50T4 Preis
  • STB12NM50T4 Verteilers
  • STB12NM50T4 Hersteller
  • STB12NM50T4 Technische Daten
  • STB12NM50T4 PDF
  • STB12NM50T4 Datenblätter
  • STB12NM50T4 Bild
  • STB12NM50T4 Foto
  • STB12NM50T4 Teil
  • STB12NM50T4 Lagerbestand
  • STB12NM50T4 Inventar
  • STB12NM50T4 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB12NM50T4
  • STB12NM50T4 Anfrage
  • STB12NM50T4 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 120 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NUC442RG8AE
Nuvoton
LINEAR ICS
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
M252LD2AE
Nuvoton
M23-64KFLASH 12KRAM UART SPI I2C
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NUC980DR61YC
Nuvoton
IC MPU ARM9 64MB DDR-II MEMORYLQ
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DK-DEV-5CGXC7N
Intel
DEVELOPMENT KIT CYCLONE
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NUC472JG8AE
Nuvoton
LINEAR ICS
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
W29N02KZDIBE
Winbond
2G-BIT NAND FLASH, 1.8V, 8-BIT E
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ISD91260CRI
Nuvoton
AUDIO SOC CHIPCORDER, CORTEX M0,
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N9H20K51N
Nuvoton
ARM926EJ-S BASED GENERAL PURPOSE
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NM-ISD2100Q
Nuvoton
KIT DEV/DEMO ISD2100 DEMO2100
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
M031FB0AE
Nuvoton
IC MCU 32BIT CORTEX-M0 16KB FLAS
Mehr erfahren