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STB12NM50T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB12NM50T4

Hersteller Teil #: STB12NM50T4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB12NM50T4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

26 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Operating Temperature

-65°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

350mOhm

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Voltage - Rated DC

550V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Current Rating

12A

Base Part Number

STB12N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

Turn On Delay Time

20 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350m Ω @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 50μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Rise Time

10ns

Vgs (Max)

±30V

Continuous Drain Current (ID)

12A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

500V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

48A

Avalanche Energy Rating (Eas)

400 mJ

Nominal Vgs

4 V

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB12NM50T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STB11NM60T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB14NK50ZT4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
STB14NK60ZT4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK

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What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 4.90930

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.90930
10+:	$4.63142
100+:	$4.36926
500+:	$4.12194
1000+:	$3.88863

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