STB11NM60T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB11NM60T4
Hersteller Teil #: STB11NM60T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 7 months ago)
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
160W Tc
Turn Off Delay Time  
6 ns
Operating Temperature  
-65°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
450MOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Voltage - Rated DC  
600V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Current Rating  
11A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB11N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
160W
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
450m Ω @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
30nC @ 10V
Rise Time  
20ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
650V
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
11 ns
Continuous Drain Current (ID)  
11A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
44A
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB11NM60T4 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB11NM60T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB14NK50ZT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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