STGD10NC60SDT4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGD10NC60SDT4
Hersteller Teil #: STGD10NC60SDT4
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
390V, 5A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerMESH™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Additional Feature  
ULTRA FAST
Max Power Dissipation  
60W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STGD10
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Case Connection  
COLLECTOR
Input Type  
Standard
Power - Max  
60W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
18A
Reverse Recovery Time  
22 ns
Max Breakdown Voltage  
600V
Turn On Time  
22.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
1.65V @ 15V, 5A
Turn Off Time-Nom (toff)  
560 ns
Gate Charge  
18nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
25A
Td (on/off) @ 25°C  
19ns/160ns
Switching Energy  
60μJ (on), 340μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
5.75V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:STGD10NC60SDT4 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGD10NC60SDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 18A 60W DPAK
STGD8NC60KDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 15A 62W DPAK
STGD6NC60HDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 15A 56W DPAK
NGTB10N60R2DT4G TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
NGTB05N60R2DT4G DPAK ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2367 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.37254
Menge. Stückpreis
1+: $2.37254
10+: $2.23824
100+: $2.11155
500+: $1.99203
1000+: $1.87927
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