STGD6NC60HDT4 - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGD6NC60HDT4
Hersteller Teil #: STGD6NC60HDT4
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 15A 56W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGD6NC60HDT4 Datenblatt
STGD6NC60HDT4 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
8 Weeks
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins
3
Weight
350.003213mg
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 3A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
40 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tape & Reel (TR)
Series
PowerMESH™
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC
600V
Max Power Dissipation
56W
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Current Rating
15A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Base Part Number
STGD6
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
Element Configuration
Single
Power Dissipation
50W
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
12 ns
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
15A
Reverse Recovery Time
21 ns
JEDEC-95 Code
TO-252AA
Max Breakdown Voltage
600V
Turn On Time
17.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 3A
Continuous Collector Current
6A
Turn Off Time-Nom (toff)
222 ns
Gate Charge
13.6nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
21A
Td (on/off) @ 25°C
12ns/76ns
Switching Energy
20μJ (on), 68μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5.75V
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Width
6.2mm
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGD6NC60HDT4 Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGD6NC60HDT4 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 15A 56W DPAK | |
| STGD8NC60KDT4 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 15A 62W DPAK | |
| NGTB10N60R2DT4G | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | |
| NGTB05N60R2DT4G | DPAK | ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | |
| STGD10NC60KDT4 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 20A 62W DPAK |
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Häufig gestellte Fragen
What does the suffix “F” identify?
a family optimized to achieve very low switching times for frequency applications
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 15A 56W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 5000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.32496
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $1.32496 |
| 10+: | $1.24997 |
| 100+: | $1.17921 |
| 500+: | $1.11247 |
| 1000+: | $1.04950 |
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