STGD8NC60KDT4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGD8NC60KDT4
Hersteller Teil #: STGD8NC60KDT4
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Weight  
350.003213mg
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
390V, 3A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time  
72 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerMESH™
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
62W
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STGD8
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Case Connection  
COLLECTOR
Input Type  
Standard
Turn On Delay Time  
17 ns
Power - Max  
62W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
15A
Reverse Recovery Time  
23.5 ns
Max Breakdown Voltage  
600V
Turn On Time  
23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.75V @ 15V, 3A
Turn Off Time-Nom (toff)  
242 ns
Gate Charge  
19nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
30A
Td (on/off) @ 25°C  
17ns/72ns
Switching Energy  
55μJ (on), 85μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
6.5V
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGD8NC60KDT4 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGD8NC60KDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 15A 62W DPAK
STGD6NC60HDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 15A 56W DPAK
NGTB10N60R2DT4G TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
NGTB05N60R2DT4G DPAK ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
STGD10NC60KDT4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 20A 62W DPAK
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Häufig gestellte Fragen

What suffix identifies a family optimized to achieve very low switching times for fre quency applications?

F

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 15A 62W DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 1 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.52680
Menge. Stückpreis
1+: $1.52680
10+: $1.44037
100+: $1.35884
500+: $1.28193
1000+: $1.20937
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