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  • SSD20
  • Unternehmen :
    Cooper Bussmann
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Bussmann Fuses, SSD Series
  • SSD2011
  • Unternehmen :
    Samsung Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2005
  • Unternehmen :
    Samsung Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 25V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2004
  • Unternehmen :
    Samsung Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2009
  • Unternehmen :
    Samsung Semiconductor
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2021
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2009A
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Description: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2008A
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2007A
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
  • SSD2019A
  • Unternehmen :
    Fairchild Semiconductor Corporation
  • Verpackung:
    N/A
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    Auf Bestellung
  • Bemerkung:
    Description: Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
  • SSD2025TF
  • Unternehmen :
    ON Semiconductor
  • Verpackung:
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    78000
  • Bemerkung:
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
  • 78000
  • SSD2025TF
  • Unternehmen :
    Fairchild
  • Verpackung:
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    5930
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 5930
  • SSD2007ATF
  • Unternehmen :
    Fairchild
  • Verpackung:
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    90000
  • Bemerkung:
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 90000
  • SSD2007ATF
  • Unternehmen :
    ON Semiconductor
  • Verpackung:
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • Preis:
    aufrufen
  • Vorrätig:
    78000
  • Bemerkung:
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  • 78000

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