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SSD2011 - Samsung Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-SSD2011
Hersteller Teil #: SSD2011
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Samsung Semiconductor
Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet SSD2011 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Number of Terminals  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Part Life Cycle Code  
Obsolete
Ihs Manufacturer  
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code  
SOT
Package Description  
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)  
2 A
Number of Elements  
2
Operating Temperature-Max  
150 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Reach Compliance Code  
unknown
Pin Count  
8
JESD-30 Code  
R-PDSO-G8
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SEPARATE, 2 ELEMENTS
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type  
P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max  
0.28 Ω
DS Breakdown Voltage-Min  
60 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Power Dissipation-Max (Abs)  
2 W
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
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    Hersteller:
    Beschreibung: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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    Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
    Einschreiben(www.singpost.com)
    Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

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