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STW34NM60ND - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW34NM60ND

Hersteller Teil #: STW34NM60ND

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW34NM60ND Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

16 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Delay Time

111 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Series

FDmesh™ II

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

110MOhm

Additional Feature

ULTRA-LOW RESISTANCE

Base Part Number

STW34N

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

30 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110m Ω @ 14.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2785pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80.4nC @ 10V

Rise Time

53.4ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

61.8 ns

Continuous Drain Current (ID)

29A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Width

5.15mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STW34NM60ND	TO-247-3	MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
FCH35N60	TO-247-3	MOSFET 600V N-Channel SuperFET
STW42N65M5	TO-247-3	MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
STW43NM60ND	TO-247-3	MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
STW43N60DM2	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STW43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 9000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 10.19516

Menge.	Stückpreis
1+:	$10.19516
10+:	$9.61807
100+:	$9.07365
500+:	$8.56005
1000+:	$8.07552

Zwischensumme: $10.19516

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