STW43NM60ND - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STW43NM60ND
Hersteller Teil #: STW43NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
255W Tc
Turn Off Delay Time  
120 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
FDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
88mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Base Part Number  
STW43N
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
255W
Turn On Delay Time  
30 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
88m Ω @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
4300pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
145nC @ 10V
Rise Time  
40ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
50 ns
Continuous Drain Current (ID)  
35A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Height  
20.15mm
Length  
15.75mm
Width  
5.15mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STW43NM60ND Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW43NM60ND TO-247-3 MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
FCH35N60 TO-247-3 MOSFET 600V N-Channel SuperFET
STW42N65M5 TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 33A TO-247
STW48NM60N TO-247-3 MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
STW48N60DM2 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V
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Häufig gestellte Fragen

What is the STripFET process designed to minimize?

input capacitance and gate charge

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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