00852-6915 1330 | [email protected]

STW22NM60N - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW22NM60N

Hersteller Teil #: STW22NM60N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW22NM60N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

74 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™ II

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin (Sn)

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Terminal Position

SINGLE

Base Part Number

STW22N

Pin Count

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

125W

Turn On Delay Time

11 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220m Ω @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

38 ns

Continuous Drain Current (ID)

16A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain-source On Resistance-Max

0.22Ohm

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

64A

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Width

5.15mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STW22NM60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
STW23NM50N	TO-247-3	MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
STW26NM60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
STW24NM60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 17A TO247

STW22NM60N Preis
STW22NM60N Verteilers
STW22NM60N Hersteller
STW22NM60N Technische Daten
STW22NM60N PDF
STW22NM60N Datenblätter
STW22NM60N Bild
STW22NM60N Foto
STW22NM60N Teil
STW22NM60N Lagerbestand
STW22NM60N Inventar
STW22NM60N Angebotsanfrage
Kaufen STW22NM60N
STW22NM60N Anfrage
STW22NM60N Onlinebestellung

Suchen Sie nach anderen Teilen wie STW22

What is the name of the low input capacitance and gate charge device?

Low gate input resistance

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 100 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

Anfrage

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.

Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt

Schritt2 Gehäuse Drivepipe

Schritt3 Antistatikbeutel

Schritt4 Verpackungskartons

Schritt5 Barcode-Versandetikett