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STB18NM80 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB18NM80

Hersteller Teil #: STB18NM80

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB18NM80 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

26 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

96 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

295mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB18N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

Turn On Delay Time

18 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295m Ω @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Rise Time

28ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

50 ns

Continuous Drain Current (ID)

17A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

800V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

68A

Avalanche Energy Rating (Eas)

600 mJ

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB18NM80	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STB15N80K5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A
STB13N80K5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
FCB20N60TM	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STB22NM60N	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

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What characteristics do these N-channel Power MOSFETs offer?

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What is the name of the type of strip technique used by STMicroelectronics?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 1500 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 5.32952

Menge.	Stückpreis
1+:	$5.32952
10+:	$5.02785
100+:	$4.74325
500+:	$4.47477
1000+:	$4.22148

Zwischensumme: $5.32952

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