STB18NM80 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB18NM80
Hersteller Teil #: STB18NM80
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
17A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
190W Tc
Turn Off Delay Time  
96 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
295mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB18N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
190W
Turn On Delay Time  
18 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
295m Ω @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2070pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
70nC @ 10V
Rise Time  
28ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
50 ns
Continuous Drain Current (ID)  
17A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
68A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
600 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB18NM80 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB18NM80 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STB15N80K5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A
STB13N80K5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What characteristics do these N-channel Power MOSFETs offer?

low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What is the name of the type of strip technique used by STMicroelectronics?

ST’s proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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