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STB13N80K5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB13N80K5

Hersteller Teil #: STB13N80K5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB13N80K5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

26 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

SuperMESH5™

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

450mOhm

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STB13N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

16 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450m Ω @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Rise Time

16ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

16 ns

Continuous Drain Current (ID)

12A

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

800V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

48A

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Width

9.35mm

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB13N80K5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
STB11NM60T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB11NM80T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
STB15N80K5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 3000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 4.72635

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.72635
10+:	$4.45883
100+:	$4.20644
500+:	$3.96834
1000+:	$3.74372

Zwischensumme: $4.72635

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