STB18N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB18N60M2
Hersteller Teil #: STB18N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Turn Off Delay Time  
47 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™ II Plus
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
280mOhm
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STB18N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
110W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
12 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
280m Ω @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
791pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21.5nC @ 10V
Rise Time  
9ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
10.6 ns
Continuous Drain Current (ID)  
13A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52A
DS Breakdown Voltage-Min  
600V
Height  
4.6mm
Length  
10.4mm
Width  
9.35mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB18N60M2 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB18N60M2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
STB13NM60N TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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