STB12NM60N - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB12NM60N
Hersteller Teil #: STB12NM60N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
90W Tc
Turn Off Delay Time  
60 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
Base Part Number  
STB12N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
90W
Turn On Delay Time  
15 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
410m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
960pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
30.5nC @ 10V
Rise Time  
9ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:STB12NM60N Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB12NM60N TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
STB15N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB13NM60N TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
STB12NM50ND TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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