STP7NM80 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STP7NM80
Hersteller Teil #: STP7NM80
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Contact Plating  
Tin
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
6.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
90W Tc
Turn Off Delay Time  
35 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
1.05Ohm
Base Part Number  
STP7N
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
90W
Case Connection  
ISOLATED
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
1.05 Ω @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
18nC @ 10V
Rise Time  
8ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3.25A
Threshold Voltage  
4V
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
6.5A
Drain to Source Breakdown Voltage  
800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
26A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
240 mJ
Height  
15.75mm
Length  
10.4mm
Width  
4.6mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STP7NM80 TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
STP9NK60Z TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
STP9NM60N TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
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FCP850N80Z TO-220-3 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP850N80Z Power MOSFET, N Channel, 8 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 VNew
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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