STD9NM60N - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD9NM60N
Hersteller Teil #: STD9NM60N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type  
Surface Mount
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Power Dissipation (Max)  
70W Tc
Turn Off Delay Time  
52.5 ns
Number of Elements  
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
6.5A Tc
Series  
MDmesh™ II
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Operating Temperature  
150°C TJ
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
745mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD9N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
70W
Turn On Delay Time  
28 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
745m Ω @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
452pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
17.4nC @ 10V
Rise Time  
23ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
26.7 ns
Continuous Drain Current (ID)  
6.5A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
9A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
26A
Width  
6.2mm
Length  
6.6mm
Height  
2.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD9NM60N Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD9NM60N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
STD10NM50N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
FCD7N60TM TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
STD7N60M2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
STD8NM60ND TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
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Häufig gestellte Fragen

What is the power MOSFET suitable for?

high efficiency converters

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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