STD7N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD7N60M2
Hersteller Teil #: STD7N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Contact Plating  
Tin
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type  
Surface Mount
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
60W Tc
Turn Off Delay Time  
19.3 ns
Number of Elements  
1
Series  
MDmesh™ II Plus
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
950mOhm
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STD7
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
60W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
7.6 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
950m Ω @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
271pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
8.8nC @ 10V
Rise Time  
7.2ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
15.9 ns
Continuous Drain Current (ID)  
5A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
5A
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
20A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
99 mJ
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD7N60M2 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD7N60M2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
STD8NM50N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
STD7NM60N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
STD9NM60N TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Verwandte Teile in STD7N60M2
STD7N60M2 Verwandtes Stichwort.
  • STD7N60M2 Preis
  • STD7N60M2 Verteilers
  • STD7N60M2 Hersteller
  • STD7N60M2 Technische Daten
  • STD7N60M2 PDF
  • STD7N60M2 Datenblätter
  • STD7N60M2 Bild
  • STD7N60M2 Foto
  • STD7N60M2 Teil
  • STD7N60M2 Lagerbestand
  • STD7N60M2 Inventar
  • STD7N60M2 Angebotsanfrage
  • Kaufen STD7N60M2
  • STD7N60M2 Anfrage
  • STD7N60M2 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What does the N-channel Power MOSFET exhibit?

low on-resistance and optimized switching characteristics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 50000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.47574
Menge. Stückpreis
1+: $1.47574
10+: $1.39220
100+: $1.31340
500+: $1.23906
1000+: $1.16892
Zwischensumme: $1.47574

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren