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STW9NK90Z - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW9NK90Z

Hersteller Teil #: STW9NK90Z

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW9NK90Z Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Weight

9.071847g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 100μA

Turn Off Delay Time

55 ns

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

SuperMESH™

JESD-609 Code

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

1.3Ohm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Voltage - Rated DC

900V

Current Rating

Base Part Number

STW9N

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

Turn On Delay Time

22 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ω @ 3.6A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Rise Time

13ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

28 ns

Continuous Drain Current (ID)

JEDEC-95 Code

TO-247AC

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

900V

Avalanche Energy Rating (Eas)

220 mJ

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Width

5.15mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Radiation Hardening

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STW9NK90Z	TO-247-3	MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
STW10NK80Z	TO-247-3	Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW6N95K5	TO-247-3	Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW7NK90Z	TO-247-3	MOSFET N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
FQH8N100C	TO-247-3	N-channel Power Mosfet, Qfet®, 1000 V, 8.0 A, 1.45 ?, TO-247

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What is a power MOSFET?

Power MOSFET is a type of metal oxide semiconductor field-effect transistor used to switch large amounts of current. Power MOSFETs are the most commonly used power devices due to their low gate drive power, fast switching speed and superior paralleling capability.

What is a power MOSFET used for?

RF DMOS, also known as RF power MOSFET, is a type of DMOS power transistor designed for radio-frequency (RF) applications. It is used in various radio and RF applications. Power MOSFETs are widely used in transportation technology, which include a wide range of vehicles.

What is the difference between MOSFET and power MOSFET?

Physically, a regular MOSFET will have all three terminals on the top of the die. PowerFets are usually a DMOS variant and use the bottom of the chip as a device terminal. High power MOSFETs always have the substrate as drain terminal with vertical current flow.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 8A TO-247

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 85000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.58451

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.58451
10+:	$3.38162
100+:	$3.19020
500+:	$3.00963
1000+:	$2.83927

Zwischensumme: $3.58451

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