STD10NF10T4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STD10NF10T4
Hersteller Teil #: STD10NF10T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Weight  
4.535924g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
50W Tc
Turn Off Delay Time  
32 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
130mOhm
Voltage - Rated DC  
100V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
13A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD10
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
50W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
16 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
130m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21nC @ 10V
Rise Time  
25ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
8 ns
Continuous Drain Current (ID)  
13A
Threshold Voltage  
3V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52A
Dual Supply Voltage  
100V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
70 mJ
Nominal Vgs  
3 V
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD10NF10T4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
FDD5614P TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
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Häufig gestellte Fragen

Where are power MOSFETs used?

Power MOSFETs are commonly used in automotive electronics, particularly as switching devices in electronic control units, and as power converters in modern electric vehicles. The insulated-gate bipolar transistor (IGBT), a hybrid MOS-bipolar transistor, is also used for a wide variety of applications.

How does power MOSFET work?

Power MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) are three-terminal silicon devices that function by applying a signal to the gate that controls current conduction between source and drain.

Why do MOSFETs have a diode?

The MOSFET's body diode provides a path for inductive load current to by-pass the MOSFET during its 'OFF' state. It is therefore an important feature in many applications including synchronous rectification (AC-DC and DC-DC) and motor control (full-bridge & half-bridge).

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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