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STD12NF06T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD12NF06T4

Hersteller Teil #: STD12NF06T4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STD12NF06T4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Turn Off Delay Time

17 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

100mOhm

Voltage - Rated DC

60V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

12A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STD12

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

30W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

7 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100m Ω @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Rise Time

18ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

6 ns

Continuous Drain Current (ID)

12A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

60V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

48A

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STD12NF06T4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
FDD5614P	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
FDD5612	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
IPD088N06N3GBTMA1	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R

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STMicroelectronics

What is the packing density of the resulting transistor?

low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 28701 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.42954

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.42954
10+:	$1.34862
100+:	$1.27228
500+:	$1.20027
1000+:	$1.13233

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