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STD10NF10T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD10NF10T4

Hersteller Teil #: STD10NF10T4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STD10NF10T4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

130mOhm

Voltage - Rated DC

100V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

13A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STD10

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

50W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

16 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130m Ω @ 5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Rise Time

25ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

8 ns

Continuous Drain Current (ID)

13A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

52A

Dual Supply Voltage

100V

Avalanche Energy Rating (Eas)

70 mJ

Nominal Vgs

3 V

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STD10NF10T4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
FDD5614P	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
STD12NF06T4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STD15NF10T4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
STD4NS25T4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp

STD10NF10T4 Preis
STD10NF10T4 Verteilers
STD10NF10T4 Hersteller
STD10NF10T4 Technische Daten
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Where are power MOSFETs used?

Power MOSFETs are commonly used in automotive electronics, particularly as switching devices in electronic control units, and as power converters in modern electric vehicles. The insulated-gate bipolar transistor (IGBT), a hybrid MOS-bipolar transistor, is also used for a wide variety of applications.

How does power MOSFET work?

Power MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) are three-terminal silicon devices that function by applying a signal to the gate that controls current conduction between source and drain.

Why do MOSFETs have a diode?

The MOSFET's body diode provides a path for inductive load current to by-pass the MOSFET during its 'OFF' state. It is therefore an important feature in many applications including synchronous rectification (AC-DC and DC-DC) and motor control (full-bridge & half-bridge).

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt: datasheet

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Stückpreis: 1.60424

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.60424
10+:	$1.51343
100+:	$1.42777
500+:	$1.34695
1000+:	$1.27071

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