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STB37N60DM2AG - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB37N60DM2AG

Hersteller Teil #: STB37N60DM2AG

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB37N60DM2AG Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

210W Tc

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Position

SINGLE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STB37N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110m Ω @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

28A

Drain-source On Resistance-Max

0.11Ohm

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

112A

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Avalanche Energy Rating (Eas)

650 mJ

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB37N60DM2AG	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 28A
IPB60R099CPAATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
STB40N60M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET
STB35N60DM2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 28A
STB42N60M2-EP	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

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What is the latest development of?

STMicroelectronics

What does the resulting transistor show for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps?

high packing density

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 28A

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2500 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 6.56482

Menge.	Stückpreis
1+:	$6.56482
10+:	$6.19323
100+:	$5.84267
500+:	$5.51195
1000+:	$5.19995

Zwischensumme: $6.56482

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