STGW45HF60WD - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW45HF60WD
Hersteller Teil #: STGW45HF60WD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW45HF60WD Datenblatt
STGW45HF60WD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Number of Pins
3
Weight
6.500007g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 30A, 6.8 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
145 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Additional Feature
LOW CONDUCTION LOSS
Max Power Dissipation
250W
Base Part Number
STGW45
Pin Count
3
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
30 ns
Power - Max
250W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
70A
Reverse Recovery Time
55 ns
Turn On Time
44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Turn Off Time-Nom (toff)
250 ns
Gate Charge
160nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Td (on/off) @ 25°C
30ns/145ns
Switching Energy
300μJ (on), 330μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5.75V
Height
24.45mm
Length
15.75mm
Width
5.15mm
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW45HF60WD Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW45HF60WD | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | |
| STGW30NC60WD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW35NB60SD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| HGTG30N60B3D | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 208W TO247 | |
| NGTB35N60FL2WG | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins |
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Häufig gestellte Fragen
What series is based on a planar technology concept to yield an IGBT with tighter variation of switching energy versus temperature?
HF
What denotes a subset of products tailored to high switching frequency operation over 100 kHz?
Suffix "W"
What is br> 2. Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)?
Improved Eoff at elevated temperature
What is no cross-conduction susceptibility?
Low CRES / CIES ratio
What is a low CRES / CIES ratio?
Low VF soft recovery antiparallel diode
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
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Lagerbestand: 3100 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 8.12525
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $8.12525 |
| 10+: | $7.66533 |
| 100+: | $7.23144 |
| 500+: | $6.82212 |
| 1000+: | $6.43596 |
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