STGW35NB60SD - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW35NB60SD
Hersteller Teil #: STGW35NB60SD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW35NB60SD Datenblatt
STGW35NB60SD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
8 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Number of Pins
3
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 20A, 100 Ω, 15V
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
Series
PowerMESH™
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC
600V
Max Power Dissipation
200W
Current Rating
35A
Base Part Number
STGW35
Pin Count
3
Element Configuration
Single
Power Dissipation
200W
Input Type
Standard
Transistor Application
MOTOR CONTROL
Rise Time
70ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
70A
Reverse Recovery Time
44 ns
Continuous Drain Current (ID)
70A
JEDEC-95 Code
TO-247AA
Max Breakdown Voltage
600V
Turn On Time
153 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Turn Off Time-Nom (toff)
3600 ns
Gate Charge
83nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
250A
Td (on/off) @ 25°C
92ns/1.1μs
Switching Energy
840μJ (on), 7.4mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5V
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Width
5.15mm
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW35NB60SD Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW35NB60SD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| HGTG20N60A4D | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60A4D IGBT Single Transistor, General Purpose, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW30NC60WD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW39NC60VD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW45HF60WD | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube |
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What suffix identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequency applications?
”H”
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 30 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 5.80497
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $5.80497 |
| 10+: | $5.47639 |
| 100+: | $5.16640 |
| 500+: | $4.87396 |
| 1000+: | $4.59808 |
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