STGWT80H65FB - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGWT80H65FB
Hersteller Teil #: STGWT80H65FB
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-3P Tube
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
32 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-3P-3, SC-65-3
Number of Pins  
3
Weight  
6.756003g
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.6V
Test Conditions  
400V, 80A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
469W
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STGWT80
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
469W
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
650V
Max Collector Current  
120A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2V @ 15V, 80A
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
414nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
240A
Td (on/off) @ 25°C  
84ns/280ns
Switching Energy  
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
7V
Height  
20.1mm
Length  
15.8mm
Width  
5mm
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGWT80H65FB TO-3P-3, SC-65-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-3P Tube
FGA60N65SMD TO-3P-3, SC-65-3 In a Tube of 30, ON Semiconductor FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN
STGW80H65DFB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STGWA80H65FB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
STGW80H65FB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
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Häufig gestellte Fragen

What does the PowerMESHTM process guarantee?

excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior

What is the IGBT well-suited for?

resonant or soft-switching applications

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-3P Tube
Verpackung: TO-3P-3, SC-65-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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