STGWA80H65FB - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGWA80H65FB
Hersteller Teil #: STGWA80H65FB
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
20 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Weight  
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.6V
Test Conditions  
400V, 80A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
469W
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STGWA80
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
469W
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
650V
Max Collector Current  
120A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2V @ 15V, 80A
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
414nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
240A
Td (on/off) @ 25°C  
84ns/280ns
Switching Energy  
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
7V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGWA80H65FB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
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Häufig gestellte Fragen

What type of structure are IGBTs developed using?

trench gate field-stop

What type of IGBTs are these devices part of?

improved H series of IGBTs

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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Stückpreis: 4.90917
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