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STGW80H65FB-4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGW80H65FB-4
Hersteller Teil #: STGW80H65FB-4
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Verpackung: TO-247-4
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet STGW80H65FB-4 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
37 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-4
Number of Pins  
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
650V
Test Conditions  
400V, 80A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
Not Applicable
Max Power Dissipation  
469W
Base Part Number  
STGW80
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
469W
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
2V
Max Collector Current  
120A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2V @ 15V, 80A
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
414nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
240A
Td (on/off) @ 25°C  
84ns/280ns
Switching Energy  
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGW80H65FB-4 TO-247-4 IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
FGH60T65SHD-F155 TO-247-3 IGBT 650V 120A 349W TO-247
STGWA80H65DFB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
IXXH40N65B4H1 TO-247-3 IGBT 650V 120A 455W TO247AD
STGWA80H65FB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
    Verpackung: TO-247-4
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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