STGW50H60DF - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW50H60DF
Hersteller Teil #: STGW50H60DF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW50H60DF Datenblatt
STGW50H60DF Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Weight
6.500007g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
205 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Max Power Dissipation
360W
Base Part Number
STGW50
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
62 ns
Power - Max
360W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
100A
Reverse Recovery Time
55 ns
Turn On Time
91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 50A
Turn Off Time-Nom (toff)
285 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
217nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
Td (on/off) @ 25°C
62ns/178ns
Switching Energy
890μJ (on), 860μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW50H60DF Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW50H60DF | TO-247-3 | IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode | |
| HGTG30N60A4D | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW39NC60VD | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| NGTB50N60S1WG | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| STGW45HF60WD | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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