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STW20NM60 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW20NM60

Hersteller Teil #: STW20NM60

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW20NM60 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

16 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

290mOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

650V

Current Rating

20A

Base Part Number

STW20N

Pin Count

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

192W

Turn On Delay Time

25 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290m Ω @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Rise Time

20ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

11 ns

Continuous Drain Current (ID)

20A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

80A

Avalanche Energy Rating (Eas)

650 mJ

Height

6.35mm

Length

50.8mm

Width

6.35mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STW20NM60	TO-247-3	Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW21NM60ND	TO-247-3	Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW22NM60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
STW20NM50FD	TO-247-3	MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
FCH165N60E	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew

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How many avalanche tested are there?

100%

What is a br> br> /p>p>h2>strong>Application

Low gate input resistance

What is the name of the application that the MDmeshTM uses?

Switching applications

What characteristics does the MDmeshTM have?

outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technology does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 5850 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 5.93793

Menge.	Stückpreis
1+:	$5.93793
10+:	$5.60182
100+:	$5.28474
500+:	$4.98560
1000+:	$4.70340

Zwischensumme: $5.93793

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