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STH315N10F7-6 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STH315N10F7-6

Hersteller Teil #: STH315N10F7-6

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V

Verpackung: TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STH315N10F7-6 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Number of Pins

Weight

1.59999g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

315W Tc

Turn Off Delay Time

148 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STH315

JESD-30 Code

R-PSSO-G6

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

315W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

62 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3m Ω @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

12800pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Rise Time

108ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

40 ns

Continuous Drain Current (ID)

180A

Threshold Voltage

3.5V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain-source On Resistance-Max

0.0023Ohm

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STH315N10F7-6	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)	STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V
STH310N10F7-6	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
IRFS4010TRL7PP	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
IRFS4010-7PPBF	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
STH270N8F7-6	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)	MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

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STH315N10F7-6 Verteilers
STH315N10F7-6 Hersteller
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STH315N10F7-6 PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V

Verpackung: TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 100000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 4.55275

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.55275
10+:	$4.29504
100+:	$4.05193
500+:	$3.82257
1000+:	$3.60620

Zwischensumme: $4.55275

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