STP18NM60N - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STP18NM60N
Hersteller Teil #: STP18NM60N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Turn Off Delay Time  
55 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™ II
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
285mOhm
Base Part Number  
STP18N
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
110W
Turn On Delay Time  
12 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
285m Ω @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
35nC @ 10V
Rise Time  
15ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
25 ns
Continuous Drain Current (ID)  
13A
Threshold Voltage  
3V
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
52A
Height  
15.75mm
Length  
10.4mm
Width  
4.6mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STP18NM60N TO-220-3 STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 21 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 3.06368
Menge. Stückpreis
1+: $3.06368
10+: $2.89026
100+: $2.72666
500+: $2.57232
1000+: $2.42672
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