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VNS1NV04DPTR-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY20-VNS1NV04DPTR-E

Hersteller Teil #: VNS1NV04DPTR-E

Produktkategorie: PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

VNS1NV04DPTR-E Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

18 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Operating Temperature

-40°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

OMNIFET II™, VIPower™

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Silver/Bismuth (Sn/Ag/Bi)

Max Power Dissipation

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

VNS1N

Pin Count

Number of Outputs

Output Type

N-Channel

Max Output Current

1.7A

Voltage

40V

Interface

On/Off

Nominal Supply Current

100μA

Current

1.7A

Output Configuration

Low Side

Power Dissipation

Output Current

1.7A

Voltage - Supply (Vcc/Vdd)

Not Required

Input Type

Non-Inverting

Switch Type

General Purpose

Rise Time

170ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Fall Time (Typ)

200 ns

Continuous Drain Current (ID)

1.7A

Threshold Voltage

500mV

Ratio - Input:Output

1:1

Voltage - Load

36V Max

Fault Protection

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage

Drain to Source Breakdown Voltage

45V

Rds On (Typ)

250m Ω (Max)

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Drain to Source Resistance

250mOhm

Nominal Vgs

500 mV

On-State Resistance

250mOhm

Height

1.75mm

Length

5mm

Width

4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
VNS1NV04DPTR-E	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
MIC2026-1YM	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MICREL SEMICONDUCTOR MIC2026-1YM.Power Distribution Switch, Current Limited, High Side, Active High, 2 Outputs, 5.5V, 0.9A, SOIC-8
BTS3410GXUMA1	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Power Switch Lo Side 1.3A Automotive 8-Pin DSO
MIC2076-1YM-TR	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	USB Power SW Hi Side/DIST Dual 5.5V 0.9A 8-Pin SOIC N T/R
MIC2026-2YM	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MICREL SEMICONDUCTOR - MIC2026-2YM - IC, POWER DIS SWITCH, 500MA, 2CH

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What is the name of the device formed by two monolithic OMNIFET II chips?

VNS1NV04DP-E

In compliance with what directive is the VNS1NV04DP-E compatible with standard power mosfet?

2002/95/EC european directive

Index: 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 10800 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.28815

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.28815
10+:	$1.21524
100+:	$1.14645
500+:	$1.08156
1000+:	$1.02034

Zwischensumme: $1.28815

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