VNS1NV04DPTR-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY20-VNS1NV04DPTR-E
Hersteller Teil #: VNS1NV04DPTR-E
Produktkategorie: PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
18 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Operating Temperature  
-40°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609 Code  
e6
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Silver/Bismuth (Sn/Ag/Bi)
Max Power Dissipation  
4W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
VNS1N
Pin Count  
8
Number of Outputs  
2
Output Type  
N-Channel
Max Output Current  
1.7A
Voltage  
40V
Interface  
On/Off
Nominal Supply Current  
100μA
Current  
1.7A
Output Configuration  
Low Side
Power Dissipation  
4W
Output Current  
1.7A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd)  
Not Required
Input Type  
Non-Inverting
Switch Type  
General Purpose
Rise Time  
170ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
45V
Fall Time (Typ)  
200 ns
Continuous Drain Current (ID)  
1.7A
Threshold Voltage  
500mV
Ratio - Input:Output  
1:1
Voltage - Load  
36V Max
Fault Protection  
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Drain to Source Breakdown Voltage  
45V
Rds On (Typ)  
250m Ω (Max)
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Drain to Source Resistance  
250mOhm
Nominal Vgs  
500 mV
On-State Resistance  
250mOhm
Height  
1.75mm
Length  
5mm
Width  
4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:VNS1NV04DPTR-E Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
VNS1NV04DPTR-E 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
MIC2026-1YM 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MICREL SEMICONDUCTOR MIC2026-1YM.Power Distribution Switch, Current Limited, High Side, Active High, 2 Outputs, 5.5V, 0.9A, SOIC-8
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Häufig gestellte Fragen

What is the name of the device formed by two monolithic OMNIFET II chips?

VNS1NV04DP-E

In compliance with what directive is the VNS1NV04DP-E compatible with standard power mosfet?

2002/95/EC european directive

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 653 Kann sofort geliefert werden
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