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STW25NM60ND - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW25NM60ND

Hersteller Teil #: STW25NM60ND

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW25NM60ND Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Contact Plating

Tin

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Series

FDmesh™ II

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

160mOhm

Base Part Number

STW25N

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

Turn On Delay Time

60 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160m Ω @ 10.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Rise Time

30ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

40 ns

Continuous Drain Current (ID)

21A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-247AC

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

84A

Avalanche Energy Rating (Eas)

850 mJ

Height

20.15mm

Length

15.75mm

Width

5.15mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STW25NM60ND	TO-247-3	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW26NM60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
FCH22N60N	TO-247-3	MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
STW33N60DM2	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
STW30NM50N	TO-247-3	MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh

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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 9 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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