STL23NM60ND - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STL23NM60ND
Hersteller Teil #: STL23NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
Verpackung: 8-PowerVDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerVDFN
Number of Pins  
5
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
19.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
3W Ta 150W Tc
Turn Off Delay Time  
90 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
FDmesh™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
4
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Position  
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STL23
Pin Count  
5
JESD-30 Code  
S-XDSO-N4
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
3W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
25 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
180m Ω @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
70nC @ 10V
Rise Time  
45ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
40 ns
Continuous Drain Current (ID)  
19.5A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
78A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
700 mJ
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STL23NM60ND Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STL23NM60ND 8-PowerVDFN MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
STB23NM60ND TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
STL26NM60N 8-PowerVDFN MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
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Häufig gestellte Fragen

What is the result of the N-channel MDmeshTM V Power MOSFET?

low on-resistance

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
Verpackung: 8-PowerVDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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