STB18N60DM2 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB18N60DM2
Hersteller Teil #: STB18N60DM2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Manufacturer Package Identifier  
D2PAK-0079457
Turn Off Delay Time  
9.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
90W Tc
Series  
MDmesh™ DM2
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STB18N
Number of Channels  
1
Power Dissipation  
110W
Turn On Delay Time  
13.5 ns
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
295m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
20nC @ 10V
Vgs (Max)  
±25V
Continuous Drain Current (ID)  
12A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
600V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Height  
4.83mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB18N60DM2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
STB13N60M2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 562201 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.69438
Menge. Stückpreis
1+: $2.69438
10+: $2.54187
100+: $2.39799
500+: $2.26225
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