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STB18N60DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB18N60DM2

Hersteller Teil #: STB18N60DM2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB18N60DM2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Manufacturer Package Identifier

D2PAK-0079457

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

9.5 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™ DM2

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Code

EAR99

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STB18N

Number of Channels

Power Dissipation

110W

Turn On Delay Time

13.5 ns

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295m Ω @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

12A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

600V

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Height

4.83mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB18N60DM2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
STB13N60M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
IPB65R280C6ATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 562201 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.03311

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.03311
10+:	$2.86142
100+:	$2.69945
500+:	$2.54665
1000+:	$2.40250

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