STB13N60M2 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB13N60M2
Hersteller Teil #: STB13N60M2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
110W Tc
Turn Off Delay Time  
41 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™ II Plus
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
380mOhm
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STB13N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
110W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
11 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
380m Ω @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
580pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
17nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
9.5 ns
Continuous Drain Current (ID)  
11A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
44A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
125 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.4mm
Width  
9.35mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB13N60M2 Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB13N60M2 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
IPB60R299CPAATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
IPB50R299CPATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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