STD4N52K3 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD4N52K3
Hersteller Teil #: STD4N52K3
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount, Through Hole
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.5V @ 50μA
Turn Off Delay Time  
21 ns
Power Dissipation (Max)  
45W Tc
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
SuperMESH3™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
2.6Ohm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Base Part Number  
STD4N
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
70W
Turn On Delay Time  
8 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
2.6 Ω @ 1.25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
334pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
2nC @ 10V
Rise Time  
7ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
14 ns
Continuous Drain Current (ID)  
2.5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
525V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Radiation Hardening  
No
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD4N52K3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
IRFU4615PBF TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
STD2NK90Z-1 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Transistor: unipolar, N-MOSFET; 900V; 2.1A; IPAK
STD3NK80Z-1 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 Power MOSFET, N Channel, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
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Häufig gestellte Fragen

What are the benefits of the MDmeshTM K3 Power MOSFETs?

low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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