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STE48NM50 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STE48NM50

Hersteller Teil #: STE48NM50

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP

Verpackung: ISOTOP

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STE48NM50 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Chassis Mount, Screw, Surface Mount

Mounting Type

Chassis Mount

Package / Case

ISOTOP

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

48A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

450W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

100mOhm

Voltage - Rated DC

550V

Terminal Position

UPPER

Terminal Form

UNSPECIFIED

Current Rating

48A

Base Part Number

STE48

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

450W

Case Connection

ISOLATED

Turn On Delay Time

40 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100m Ω @ 24A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Rise Time

35ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

23 ns

Continuous Drain Current (ID)

48A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

500V

Height

12.2mm

Length

38.2mm

Width

25.5mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STE48NM50	ISOTOP	MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
FCB070N65S3	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 VNew
STE53NC50	ISOTOP	MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
STB57N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB45N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N CH 650V 35A D2PAK

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What type of technology is the MDmeshTM?

MOSFET

What characteristics does the MDmeshTM have?

low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP

Verpackung: ISOTOP

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 25 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 25.89401

Menge.	Stückpreis
1+:	$25.89401
10+:	$24.42831
100+:	$23.04558
500+:	$21.74111
1000+:	$20.51048

Zwischensumme: $25.89401

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