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STB21NM50N-1 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB21NM50N-1

Hersteller Teil #: STB21NM50N-1

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB21NM50N-1 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™ II

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Resistance

190mOhm

Terminal Finish

TIN

Voltage - Rated DC

500V

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

unknown

Current Rating

18A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Pin Count

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

140W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190m Ω @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Rise Time

18ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

30 ns

Continuous Drain Current (ID)

18A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

500V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

72A

Avalanche Energy Rating (Eas)

480 mJ

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB21NM50N-1	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
STI21N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
STI20N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
STI30N65M5	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	STMICROELECTRONICS STI30N65M5 Power MOSFET, N Channel, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
SPI21N50C3XKSA1	TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA	MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK

STB21NM50N-1 Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK

Verpackung: TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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