STW18N60DM2 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STW18N60DM2
Hersteller Teil #: STW18N60DM2
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Package / Case  
TO-247-3
Mounting Type  
Through Hole
Mount  
Through Hole
Number of Pins  
3
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Power Dissipation (Max)  
90W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
12A Tc
Series  
MDmesh™ DM2
Packaging  
Tube
Operating Temperature  
150°C TJ
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STW18N
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
295m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Continuous Drain Current (ID)  
12A
Threshold Voltage  
3V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
REACH SVHC  
No SVHC
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW18N60DM2 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 52388 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 3.26267
Menge. Stückpreis
1+: $3.26267
10+: $3.07799
100+: $2.90377
500+: $2.73940
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