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STL19N60DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STL19N60DM2

Hersteller Teil #: STL19N60DM2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,

Verpackung: 8-PowerVDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STL19N60DM2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-PowerVDFN

Number of Pins

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™ DM2

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Base Part Number

STL19

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320m Ω @ 5.5A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

11A

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STL19N60DM2	8-PowerVDFN	N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
STL18NM60N	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
STB18N60M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
FCMT299N60	4-PowerTSFN	MOSFET HV SuperJunction MOS
STD16N60M2	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,

Verpackung: 8-PowerVDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2960 Kann sofort geliefert werden

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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